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シリコン単結晶引き上げ装置の温度管理

多結晶シリコンをるつぼで溶融する際の温度管理と種付けの後に回転引き上げする際の温度管理。
引き上げ装置のビューポートから温度測定。

シリコン単結晶引き上げ装置の温度管理のイメージ

単結晶シリコンの引き上げ中に温度管理する。

目的

多結晶シリコンをるつぼで溶融している温度や引き上げ時の温度が不安定だと純度の高い単結晶化が難しくなり品質が安定しない。
単結晶化に際しては温度が重要なファクターであり非接触で測定できる放射温度計は極めて重要。

お客様からの要望

溶融温度を正確に捉える事によって結晶開始のポイントを捉えたい。
比較的測定距離が長い場合が多いが標的サイズはそれなりに小さいものが必要。つまり長距離で小スポットタイプが必要。
雰囲気温度が非常に高いため耐熱温度が高ければなお可。

目的にあった機種はこちら

選定された機種

シリコンの温度測定には温度による放射率変化の少ない波長1.1μm以下での温度測定が最適です。
FTK9シリーズでは長距離、小スポットタイプ(φ0.15~)も豊富に用意しているため最適です。ファイバヘッド部はコンパクトで耐熱温度が150℃であるため、少々雰囲気温度が高くとも設置が可能です。
ヘッド分離型なので輻射熱対策は不要となります。